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Schlüsselwörter 「silicon substrate」 Spiel 223 Produkte.

30mm Durchmesser AlN einzelner Crystal Semiconductor Substrate
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Schablone auf Diamantwafersubstrat AlN-Epitaxiefilmen
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6inch 150mm SIC Oblaten-4 H-N Types Substrat-blinde Produktion sic und nullgrad
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Zoll 4Inch N VGF 2/p-Art GaAs-Wafer-Halbleiter-Substrat für Epitaxie
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2-Zoll-Silizium-Wafer P-Typ N-Typ CZ-Wachstumsmethode BOW ≤30
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Halbisolierende 3 Zoll Siliconkarbidwafer 4H N-Typ CVD-Orientierung 4.0°±0.5°
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N-Typ leitfähiges SiC-Substrat Verbundsubstrat 6 Zoll für Epitaxy MBE CVD LPE
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Silikonkarbid-Wafer individuell angepasste Größe Halbisolierende SiC-Wafer nahezu farblos Transparent Hochdruckbeständigkeit
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900nm 4 Lithium-Niobat-hauchdünne Filme des Zoll-LiNbO3 überlagern auf Silikon-Substrat
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8 Zoll Si-Wafer CZ 200 mm Prim-Grad-Silizium-Wafer <111>, SSP,DSP P-Typ,B Dopant für Halbleitermaterial
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einzelner Kristall Al2O3 3Inch Sapphire Substrate Wafer DSP SSP 0.5mm
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Siliziumwafer N Typ P Dopant 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Widerstand 0-100 Ohm-cm Einseitig poliert
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4H/6H Halbisolierende Siliziumkarbidwafer für die Produktion/Forschung/Dummy-Qualität
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6 Zoll 8 Zoll SIO2 Siliziumdioxid Wafer Dicke 10um-25um Oberflächenmikrobearbeitung
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Siliziumwafer 4 Zoll Dicke 500+/-20 Widerstandsfähigkeit 1-10 Ohm·cm Orientierung100 doppelseitige Polierung
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