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Schlüsselwörter 「semiconductor wafer」 Spiel 312 Produkte.

MgO Wafer 111 100 Polster Magnesiumoxid Monokristall Halbleiter
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SSP-Germanium-Halbleiter-Substrat-GE-Wafers für Infrarotband 100/110 2 Zoll
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8 Zoll 200 mm Polier-Siliziumkarbid-Barrensubstrat Sic-Chip-Halbleiter
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Silizium auf Isolator SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-Typ / Bor-doped)
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SOI Wafer Silizium auf Isolator Wafer Dopant P BOX Schicht 0,4-3 Substrat Orientierung 100 111
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0.5mm Stärke-Durchmesser 150mm 4 H-N Silicon Carbide Wafer
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Premium-Silizium-Wafer mit hoher Reinheit Einkristall-Silizium-Wafer Anpassungsmöglichkeiten
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Kundengebundene sic Art Doppelt-Seiten-polierte Oberfläche des Oblaten-sic einzelnen Kristall-4H-N
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Al2O3 6 Zoll Sapphire Window Substrates Wafer DSP kerben hohe Präzision ein
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Grad Oblate 4H-N 8Inch 200mm sic leitfähiger blinder N-artige Forschung
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Poliersilikon-Karbid-Barren-Substrat sic Chip Semiconductor 8inch 200mm
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SOI Wafer Silizium auf Isolator 100mm 150mm P Typ Dopant B Gerät 220 Widerstand: 8,5-11,5 Ohm-cm
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Siliziumwafer 4 Zoll Dicke 500+/-20 Widerstandsfähigkeit 1-10 Ohm·cm Orientierung100 doppelseitige Polierung
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Si Wafer 8 Zoll Dicke 675 μm bis 775 μmP Typ N Typ 111 Doppelseitig poliert / Einseitig poliert
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Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R
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