Silikon-Karbid-Oblate Fabrik, No input file specified. Silikon-Karbid-Oblate produits de la Chine

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3C-N-Siliziumkarbid Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll oder 5 * 5 10 * 10 mm Größe Produktionsgrad Forschungsgrad
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Silikonkarbidwafer 3C-N Typ 5*5 10*10mm Zoll Durchmesser Dicke 350 μm±25 μm
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3C-N SiC Wafer 4 Zoll Siliziumkarbid Prime Grade Dummy Grade Hohe Elektronenmobilität RF LED
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4H SiC-Samenwaferdicke 600±50μm <1120> Anpassung Wachstum von Siliziumkarbid
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6 Zoll SiC-Wafer 4H/6H-P Siliziumkarbid Substrat DSP (111) Halbleiter RF Mikrowellen-LED-Laser
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Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP
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Karbid-Substrat des Silikon-4Inch, hoher Reinheitsgrad-Hauptattrappe ordnen halb ultra sic Oblaten 4H-
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4" Silikon auf Grad 4H der Saphir-Oblaten-Produktions-höchsten Vollkommenheit N-lackierte sic Oblaten
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4H/6H P-Type Sic Wafer 4 Zoll 6 Zoll Z-Klasse P-Klasse D-Klasse abgeschaltet 2.0°-4.0° Richtung P-Doping
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SiC-Substrat Siliziumkarbid Subatrte 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P Klasse R Klasse D Klasse
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SiC-Substrat 4 Zoll p-Typ 4H/6H-P n-Typ 3C-N Null-Klasse Produktionsklasse Dummy-Klasse
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SiC-Wafer 4H N Typ 8 Zoll Produktion Qualität Dummy-Qualität kundenspezifisch Doppelseitig polierte Siliziumkarbid-Wafer
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5×5mm 10×10mm SiC-Wafer 4H-P 6H-P 3C-N Produktionstyp Forschungstyp Dummy-Typ
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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H P Typ 6H P Typ 3C N Typ SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Halbleiter
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SiC Wafer 4H N-Typ Siliziumkarbid 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll DSP angepasst
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