Halbleiter-Substrat Fabrik, No input file specified. Halbleiter-Substrat produits aus China

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N-Typ SiC auf Si Compound Wafer 6 Zoll 150 mm SiC Typ 4H-N Si Typ N oder P
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Siliziumwafer N Typ P Dopant 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Widerstand 0-100 Ohm-cm Einseitig poliert
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2-Zoll-Silizium-Wafer P-Typ N-Typ CZ-Wachstumsmethode BOW ≤30
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SOI Wafer Silizium auf Isolator Wafer Dopant P BOX Schicht 0,4-3 Substrat Orientierung 100 111
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SOI Wafer Silizium auf Isolator 100mm 150mm P Typ Dopant B Gerät 220 Widerstand: 8,5-11,5 Ohm-cm
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Silizium auf Isolator SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-Typ / Bor-doped)
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Silikonwafer CZ-Orientierung111 Widerstandsfähigkeit: 1-10 (ohm.cm) Einseitige oder doppelseitige Polierung
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Siliziumwafer 4 Zoll Dicke 500+/-20 Widerstandsfähigkeit 1-10 Ohm·cm Orientierung100 doppelseitige Polierung
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3 Zoll InP Indium-Phosphid-Substrat N-Typ Halbleiter VGF-Wachstumsmethode 111 100 Ausrichtung
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Epi-Ready 4 Zoll InP Wafer N Typ P Typ EPF < 1000cm^2 mit einer Dicke von 325um±50um
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Einzelkristall Si Wafer Elektronische Geräte Substrat Photolithographie Schicht 2"3"4"6"8"
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Hohe Reinheit Siliziumwafer Leitfähigkeit Solarzellen Strom Halbleitergeräte
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4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll SOI-Wafer kompatibel mit CMOS-Drei-Schicht-Struktur
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Wärmeoxidschicht SiO2 Waferdicke 20um MEMS optisches Kommunikationssystem
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6 Zoll 8 Zoll SIO2 Siliziumdioxid Wafer Dicke 10um-25um Oberflächenmikrobearbeitung
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