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Schlüsselwörter 「silicon carbide substrate」 Spiel 103 Produkte.

SiC Epitaxial Wafer Siliziumkarbid 4H 4 Zoll 6 Zoll Hohe Widerstandsfähigkeit Halbleiterindustrie
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SiC-Substrate 2/3/4/6/8 Zoll HPSI-Produktion Dummy Forschungsgrad
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Halbisolierende SiC-On-Si-Verbundsubstrate 4H mit hoher Widerstandsfähigkeit
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4H N Typ Semi-Typ SiC Wafer 4 Zoll DSP Produktion Forschung Dummy Grade Anpassung
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Semi-isolierende SiC-Verbundsubstrate Epi bereit 6 Zoll 150 mm für optoelektrone Geräte
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4H N-Typ SiC-Wafer 6 Zoll ((0001) Doppelseitig poliert Ra≤1 nm Anpassung
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GaN-on-Si ((111) N/P T-Typ Substrat Epitaxy 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Für LED oder Stromgerät
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2 Zoll SiC Wafer 4H N Typ 6H-N Typ 4H Halbtyp 6H Halbtyp Doppelseitig poliert
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N-Typ leitfähiges SiC-Substrat Verbundsubstrat 6 Zoll für Epitaxy MBE CVD LPE
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SiC Wafer 4H N-Typ Siliziumkarbid 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll DSP angepasst
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SIC Quadrat Substrat 5×5 10×10 350um Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° Richtung Produktionsgrad
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Galliumnitrid auf Siliziumwafer GaN-on-Si 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll für CMOS-Technologie
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SiC-Substrat 4 Zoll p-Typ 4H/6H-P n-Typ 3C-N Null-Klasse Produktionsklasse Dummy-Klasse
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Halbisolierende GaN-on-Silicon-Wafer-frei stehende Galliumnitrid-Substrate
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Premium-Silizium-Wafer mit hoher Reinheit Einkristall-Silizium-Wafer Anpassungsmöglichkeiten
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