Saphirsubstrat

• Substrat 8inch Dia200mm der C-Flächen-Al2O3 99,999% Sapphire Single Crystal Wafer Carrier
• Saphir-Oblaten-Stärke 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 2inch 50.8mm für Kamera
• 4Inch fertigte eine Achse Sapphire Wafers For Epitaxial Growth 430um SSP DSP besonders an
• 2 Zoll 50.8mm Sapphire Substrate Wafer Double Side polierte Achse M Axis C Achsen-A

Synthetischer Gem Stone

• Olivengrüner Saphir, roher Edelstein, synthetischer 99,999% Al2O3, Härte von Mohs 9.0
• Champagner Moissanit 9,25 Mohs Härte Labor-Erstellter Farbiger Edelstein Roh Moissanit Steine
• Moissanite Rohstein Edelstein Königlich Blau Synthetisch SiC Monokristall Mohs-Härte 9,25 Rohstoffe für Schmuck
• Royal Blue Moissanite Roh Single Crystal Siliziumkarbid in der Schmuckindustrie Labor-erstellt

Saphir optisches Windows

• Saphir-Komponenten-Saphir-Schritt-optische Linsen-Kratzfestigkeit der polierten Oberfläche
• Runder Saphir-optische Linsen für Gerät-Betrachtungs-Fenster-hohe Beförderung
• Ultra dünnes DSP Sapphire Windows High Optical Transmittance Sapphire Substrate Wafer
• Quarz/K9 kundenspezifische Polier-Sapphire Optical Windows High Temperature beständige Sapphire Parts

Silikon-Karbid-Oblate

• Semi-isolierende SiC-Verbundsubstrate Epi bereit 6 Zoll 150 mm für optoelektrone Geräte
• N-Typ leitfähiges SiC-Substrat Verbundsubstrat 6 Zoll für Epitaxy MBE CVD LPE
• SIC Quadrat Substrat 5×5 10×10 350um Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° Richtung Produktionsgrad
• 350um Dicke 4h-N 4H-SEMI SIC Siliziumkarbid Wafer für Epitaxial

Sapphire Tube

• Ruby Tubes Sapphire Protective Insulating-Rohrströmungs-Steuerung- des Datenflusseschemisches Instrument
• Quarz-fixiertes Silikon optischer polierter Sapphire Tube/Rod K9 hoher Härte-Widerstand
• Komponenten Endoscope-niedrige Temperatur-Laborbakterienkultur-Glas des Saphir-3*0.15mmt
• Optisches Polier-Sapphire Glass Tube Cylinder Lens-Rohr/Rod High Temperature

Halbleiter-Substrat

• 8 Zoll GaN-on-Si Epitaxy Si Substrat 110 111 110 für MOCVD-Reaktoren oder RF-Energieanwendungen
• GaN-on-Si ((111) N/P T-Typ Substrat Epitaxy 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Für LED oder Stromgerät
• N-Typ SiC auf Si Compound Wafer 6 Zoll 150 mm SiC Typ 4H-N Si Typ N oder P
• Siliziumwafer N Typ P Dopant 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll Widerstand 0-100 Ohm-cm Einseitig poliert

wissenschaftliche Laborausrüstung

• Saphir-Optikfaser Dia 25-500um Faserorientierung C-Achse Übertragbarkeit > 80% Hohe Strahlungsbeständigkeit
• Saphir-Optische Faser Al2O3 99,999% Länge 30m Brechungsindex typischerweise ca. 1,76 bei 589 Nm
• Yttrium-Aluminium-Granat YAG Glasfasersensor Faserdurchmesser 100-500 μm Brechungsindex ~1,7 @ Λ=1,55 μm
• Yttrium-Aluminium-Garnett-Optische Faserlänge Standard 1M Max 30 M Übertragbarkeit > 80% (400-3000 Nm)