Saphirsubstrat

• Saphirblätter mit hoher Härte verringern Gewebeschäden für medizinische Anwendungen
• GaN auf Saphir GaN Epitaxy Vorlage auf Saphir 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll
• Saphir Al2O3 Ingots 80KG 200KG 400KG KY Wachstumsmethode zur Verarbeitung von Saphirkomponenten
• Der kleine Saphir-Laserkegel wird für das Laserschneiden, medizinische Laser und wissenschaftliche Forschung verwendet

Saphir optisches Windows

• Nicht beschichtet / beschichtet SapphireTech Präzisionsfenster Hochtransparenz Präzisionstechnik
• Anpassungsfähige optische Komponenten aus Saphir JGSI JGS2 Quarz
• angepasste, unregelmäßige Fenster mit Quarzsaphir mit hoher Durchlässigkeit
• Anpassungsfähiges Saphirfensterobjektiv Asymmetrisch für Industriekameras und Sensoren

Silikon-Karbid-Oblate

• 3C-N-Siliziumkarbid Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll oder 5 * 5 10 * 10 mm Größe Produktionsgrad Forschungsgrad
• Silikonkarbidwafer 3C-N Typ 5*5 10*10mm Zoll Durchmesser Dicke 350 μm±25 μm
• 3C-N SiC Wafer 4 Zoll Siliziumkarbid Prime Grade Dummy Grade Hohe Elektronenmobilität RF LED
• 4H SiC-Samenwaferdicke 600±50μm <1120> Anpassung Wachstum von Siliziumkarbid

Sapphire Tube

• angepasst Saphir unregelmäßige Stange industrielle Anwendungen für spezielle Zwecke hohe Härte
• 99.999% Al2O3-Rohr mit polierter Oberflächenqualitätswachstumstechnologie EFG / KY
• 99.995% Al2O3 Transparentes Saphirrohr mit hoher Toleranztransparenz
• Individuell angepasste Al2O3 Einkristallsafirröhre für 99,999% hohe Reinheit

Halbleiter-Substrat

• Individuelle Dicke Al Einkristall Aluminium Substrat Reinheit 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1 mm
• Fusionssilika-Wafer JGS1 JGS2 BF33 8 Zoll 12 Zoll Dicke 750um±25um Ra ≤ 0,5 nm TTV ≤ 10um
• N-InP-Substratbandbreite 02:2.5G-Wellenlänge 1270 nm Epi-Wafer für FP-Laserdiode
• 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll Si-Wafer Silizium-Wafer Polieren Undoped P-Typ N-Typ Halbleiter

Synthetischer Gem Stone

• Himmelblau künstlicher Saphir-Streifen Kristall-Edelstein Hellblau für Schmuck
• Grüner Saphir Edelstein: Synthetisches Rohmaterial für langlebige Schmuckstücke mit Mohs-Härte von 9
• Künstlicher Anbau Doped Farbe Saphir AL2O3 angepasst CZ Methode Lila
• Ce:LuAG Scintillation Crystal Cerium doped Lutetium Aluminium Hohe Dichte Schnelle Zerfallszeit PET

wissenschaftliche Laborausrüstung

• Mikrojet-Lasergeräte Hochenergielaser und Mikronflüssigkeitsstrahltechnik
• Mikrofluidische Lasertechnologie zur Verarbeitung der harten und zerbrechlichen Materialien von Cermet Siliziumcarbid
• Erweiterter GaAs-Fasernoptischer Temperaturdemodulator Echtzeit-Hochgenauigkeitsthermisches Überwachungssystem
• SiC-Ofen SiC-Ingot-Wachstumsofen 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PVT Lely TSSG LPE-Methode hohe Wachstumsrate