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Saphirsubstrat
Al2O3 Alpha-Welle Saphir Sync Faser hohe mechanische Festigkeit hohe Strahlungsbeständigkeit
Dicke 1,0 mm Saphir-Wafer-Substrat Ssp Dsp C-Plane-Einkristall 99,999 % Al2O3
Grad Sapphire Wafers Thickness Miscut 4 C-Achse 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp
Hohe Dioden-Optoelektronik der Härte-4Inch Sapphire Wafer For Leds Laser
Synthetischer Gem Stone
Ti3+ Rotsafirlaser Al2O3 Einkristalloptische Fenster
Cr Al2O3 Rubin-Stiel Saphir-Laser Einkristalloptischer Stab
Rubin synthetischer Saphir Rohstein Saphir 99,999% Unbehandeltes Edelstein Rohrot Saphir
Olivengrüner Saphir, roher Edelstein, synthetischer 99,999% Al2O3, Härte von Mohs 9.0
Saphir optisches Windows
Kundenspezifisches optisches Schutzfenster aus Saphirglas mit Laserschnitt
Hochbeständige Saphirglasteile, blaue, rote, klare AR-Beschichtungsteile
Custom Optical Glass Saphirglas Uhrengehäuse Lünette Teile C-Achse
Kundenspezifischer Quarz-/Saphir-Windows-Optikgrad für Laserlichtleiter
Silikon-Karbid-Oblate
SiC-Wafer 4H N Typ 8 Zoll Produktion Qualität Dummy-Qualität kundenspezifisch Doppelseitig polierte Siliziumkarbid-Wafer
5×5mm 10×10mm SiC-Wafer 4H-P 6H-P 3C-N Produktionstyp Forschungstyp Dummy-Typ
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 4H P Typ 6H P Typ 3C N Typ SiC Wafer Siliziumkarbid Wafer Halbleiter
SiC Wafer 4H N-Typ Siliziumkarbid 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll DSP angepasst
Sapphire Tube
Widerstand-Sapphire Tubes 50.4mm der hohen Temperatur großer Durchmesser KY Sapphire Rods
Wälzlager-Komponenten der Korrosionsbeständigkeits-Saphir-Komponenten-polierten Oberfläche
Steuerung- des Datenflussessapphire tube rods protective insulating-Instrument-Quarz-Rohr
Geformte Sapphire Tubes For High Temperature-Thermoelemente verdrahten Schutz
Halbleiter-Substrat
Halbisolierende SiC-On-Si-Verbundsubstrate 4H mit hoher Widerstandsfähigkeit
GaP Wafer 2 Zoll N Typ Nicht-Doped S Doped 100 DSP SSP CZ Hohe Reinheit 5N 99,999%
Si Wafer 4 Zoll Polster CZ Dopant Arsen (As) Bor (B) Phosphor (Ph) (100) Halbleiter
Optisches Quarzrohr SiO2 Kristallglas angepasst Transparent Beide Enden offen Ein Ende geschlossen
wissenschaftliche Laborausrüstung
SiC-Ofen PVT Lely TSSG & LPE Kristallwachstumssysteme für die Produktion von Siliziumkarbid
MIOC Intensitätsmodulator Chip, Phasenmodulator Chip
40 GHz-Mehrband-Lithiumniobat-Phasenmodulator
Saphir-Kristall-Wachstumsöfen KY Kyropoulos-Methode 90-400 kg zur Saphirherstellung
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