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Saphirsubstrat

Saphir Wafer Monokristall Al2O3 DSP SSP 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll

Saphir Al2O3 Ingots 80KG 200KG 400KG KY Wachstumsmethode zur Verarbeitung von Saphirkomponenten

Der kleine Saphir-Laserkegel wird für das Laserschneiden, medizinische Laser und wissenschaftliche Forschung verwendet

Saphir-Messer für medizinische Geräte Präzisionsschneiden O Chipping unter dem Mikroskop

Mohs-Skala Saphirblätter für chirurgische Anwendungen 0,20 mm Dicke

25um 65um Saphirfaser hohe Übertragungsgeschwindigkeit extrem schnelle Geschwindigkeit

Saphir optisches Windows

25um-65um Saphirfaser hohe Übertragungsrate extrem schnelle Geschwindigkeit niedrige Dielektrische Konstante und Verlust

Nicht beschichtet / beschichtet SapphireTech Präzisionsfenster Hochtransparenz Präzisionstechnik

Anpassungsfähige optische Komponenten aus Saphir JGSI JGS2 Quarz

angepasste, unregelmäßige Fenster mit Quarzsaphir mit hoher Durchlässigkeit

Anpassungsfähiges Saphirfensterobjektiv Asymmetrisch für Industriekameras und Sensoren

Schutz des Lasersystems Optische Transparenz Saphirkuppel Hochtemperaturleistung

Silikon-Karbid-Oblate

Polierte Karbid-Oblate DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm sic Silikon-4h-semi

2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 3C-N SiC Wafer Siliziumkarbid Optoelektronische Hochleistungs-RF-LED

3C-N-Siliziumkarbid Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll oder 5 * 5 10 * 10 mm Größe Produktionsgrad Forschungsgrad

Silikonkarbidwafer 3C-N Typ 55 1010mm Zoll Durchmesser Dicke 350 μm±25 μm

3C-N SiC Wafer 4 Zoll Siliziumkarbid Prime Grade Dummy Grade Hohe Elektronenmobilität RF LED

4H SiC-Samenwaferdicke 600±50μm <1120> Anpassung Wachstum von Siliziumkarbid

Sapphire Tube

25-500um Saphir-Fasernoptikkabel-Kommunikationsleitung Aluminiumfasern Einkristall Al2O3

1inch 2inch 3inch fertigte transparente Sapphire Tube 10 - 800mm besonders an

Einkristall-Al2O3-99,999-Saphirrohre, Stäbe, Saphirfenster in optischer Güte

Einzelner feiner Boden und polierte Oberfläche Crystal Sapphire Tubes And Rods Growns

Kreis-rundes Fan-Quadrat Sapphire Tubes/Kristall der Rod-Glaslinsen-Substrat-Al2O3

Widerstand-Sapphire Tubes 50.4mm der hohen Temperatur großer Durchmesser KY Sapphire Rods

Halbleiter-Substrat

GaP Wafer 2 Zoll N Typ Nicht-Doped S Doped 100 DSP SSP CZ Hohe Reinheit 5N 99,999%

Si Wafer 4 Zoll Polster CZ Dopant Arsen (As) Bor (B) Phosphor (Ph) (100) Halbleiter

Optisches Quarzrohr SiO2 Kristallglas angepasst Transparent Beide Enden offen Ein Ende geschlossen

8 Zoll GaN-on-Si Epitaxy Si Substrat 110 111 110 für MOCVD-Reaktoren oder RF-Energieanwendungen

N-Typ SiC auf Si Compound Wafer 6 Zoll 150 mm SiC Typ 4H-N Si Typ N oder P

2-Zoll-Silizium-Wafer P-Typ N-Typ CZ-Wachstumsmethode BOW ≤30

Synthetischer Gem Stone

Hochfrequenzsaphir-einzelner Kristall-Titan lackierte rote Dichte 3,98 G/Cm3

Cr3+, das Ruby Titanium Doped Sapphire For-Uhrglas optisches Winows lackiert

Beschichtender kundengebundener Größen-Laser Sapphire Crystal High Hardness Anti Corrosion

Beschichtende kundengebundene Größen-Laser-Saphir-Kristall-hohe Härte-Antikorrosion

Längen-Laser-Saphir-Kristall Rod des Durchmesser-1mm 100mm lackierte Saphir-Kristall

Lackierte das Hochfrequenzlaser-Saphir-Kristall-Titan sondern 4 waagerecht ausgerichtete Vibrionic aus

Teile aus Keramik

Silikonkarbid Keramikfach mit CVD SiC Beschichtung Größe angepasst Hochtemperatur Sintern

SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung

SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe

wissenschaftliche Laborausrüstung

Mikrofluidische Lasertechnologie zur Verarbeitung der harten und zerbrechlichen Materialien von Cermet Siliziumcarbid

Mikrojet-Lasergeräte Hochenergielaser und Mikronflüssigkeitsstrahltechnik

Mikrojet-Lasergeräte zur hochpräzisen Waferschneidung AR-Linsenverarbeitung mit Siliziumkarbid

Erweiterter GaAs-Fasernoptischer Temperaturdemodulator Echtzeit-Hochgenauigkeitsthermisches Überwachungssystem

SiC-Ofen SiC-Ingot-Wachstumsofen 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PVT Lely TSSG LPE-Methode hohe Wachstumsrate

SiC Einzelkristall Wachstumsöfen für 6-Zoll, 8-Zoll Kristalle mit PVT, Lely, TSSG Methoden

Saphir-Kristall-Uhrgehäuse

Oblaten-Fördermaschinen-Kasten

Polypropylen-einzelner Oblaten-Verschiffen-Kasten 4" 101.6mm

Supraleitendes dünnes monokristallines Substrat

supraleitender dünner monokristalliner Substrat 10x10mmt Terbium-Gallium-Granat für Laser-Gerät

MgAl2O4 supraleitendes dünnes monokristallines Substrat 10x10x0.5mmt 1sp/2sp

Orientierungs-Zink des einzelner Kristall-supraleitendes dünnes monokristallines Substrat-10X10mm

Gallium-Nitrid-Oblate

Kundengebundene Gallium-Nitrid-Oblate der Größen-5x10mm M Axis Free Standing HVPE

Si-F.E. lackierte Undoped Gallium-Nitrid-Wafer 2 ZOLL Laser-Projektions-Anzeige

2 Gallium-Nitrid-Wafer des Zoll-DSP SSP Epitaxial- Schablonen eines Achsen-Saphir-Substrate GaN

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