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Saphirsubstrat

Synthetische Rubinstäbe Cr:Al2O3 Erhältlich in 2 mm/4 mm Dia10 mm/20 mm Länge

GS1-Synthetische Quarzplatte mit Quarzoptikfenster

Durch Glasvias (TGV) für JGS1 JGS2 Saphir-Kornglas für Sensoren Herstellung und Verpackung

Saphir Wafer 2 Zoll 4 Zoll Einzelseite Doppelseite Polnisch 350um Dicke Kristall Orientierung C-Fläche

Quarzkristall Substrate in verschiedenen Größen 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll mit individueller Dicke

Saphir-Ingot 99,999% AL2O3 Monokristall KY-Methode LED Halbleiter

Saphir optisches Windows

Quarzglasfenster CNC-gefertigt, unregelmäßige Quarzglasscheiben für optische und Lasersysteme

TGV-Glassubstrat-Mikro-Löcher, hochleistungsfähige ultradünne transparente

Sapphire Prism Al2O3 Ky-Methode Laser und optische Kommunikation Anpassbare Spezifikationen

Saphirlager/Through-Hole/End-Face/Groove nach Maß

Sapphire Optical Windows AL2O3 Runde Rechteckpolierung AR Beschichtung Anpassung

ITO beschichtetes Glasrutschen Indiumzinnoxid beschichtetes Glas transparentes Fenster 1mm 10 Ohmm

Silikon-Karbid-Oblate

Siliziumkarbid SiC Optiklinsen Infrarot und Laser Anwendungen

SiC-Keramik-Träger aus Siliziumkarbid Halbleiter-Esserei und Photovoltaik-Wafer-Handling

SiC-Samen Kristall Durchmesser 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT

SiC-Samenkristalle mit Durchmessern von 153, 155, 205, 203 und 208 mm

Hoher Reinheitsgrad HPSI SiC-Pulver zur Halbisolierung / 99,9999% Reinheitsgrad Kristallwachstum

6-Zoll-leitfähige Einzelkristall-SIC auf polykristallinem SIC-Kompositsubstrat

Sapphire Tube

High Anti-scratch Sapphire Tubes Stäbe für Hochtemperaturanwendungen

Saphir-Einkristallröhrchen, Al2O3-Stäbe, Bänder für Hochdruckanwendungen

Transparente hohe Härte hohe Härte-Sapphire Tube Anti-Scratch Tube Shapes

High-End-Thermokopf-Schutzschalen aus Saphirröhren Transparent, hochtemperaturbeständig

Saphirröhre hochwertige Thermocouple-Schutzröhre Aluminiumoxid Saphirröhre poliert

Saphir-NMR-Röhren Durchmesser 5 mm/10 mm Länge 100 mm/Maßgeschneiderte Längen

Halbleiter-Substrat

Ni Substrat Einkristallkubenstruktur < 100> < 110> < 111> a=3,25A Reinheit 99,99% Dichte 8.91

Magnesiumsubstrat Einkristall hexagonal 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm Reinheit 99,99%

Einziger Magnesiumkristall Mg Wafer / Substratorientierung <0001> <11-20><10-10> <1-102> DSP SSP

Kupfer Substrat Kupfer Kubik Cu Wafer / Substrat 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Reinheit 99,99%

Kupfer-Substrat Einkristall Cu-Wafer 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A

Al Einzelkristall Aluminium Substrat Orientierung 111 100 111 5×5×0,5 mm A=4,040Ã

Synthetischer Gem Stone

Künstlicher Anbau Doped Farbe Saphir AL2O3 angepasst CZ Methode Lila

Al2o3 Synthetische Rubinfarbene Titandoppierte Saphir für die Optik Blaues Saphirglas Blaues Saphirfenster

Farbiger laserdotierter Saphirkristall Al2o3 Synthetik

Ti3+ roter Sapphire Cr 3+ Laser Sapphire Pigeon Blood Ruby Rod

Er:YAG Kristalle Erbium Doped Yttrium Aluminium Granat Kristall Paraiba Blau Labor gemacht Rohstein

Synthetische Farbe Edelstein Saphir Rohstein Himmelblau Mohs-Härte 9 für Handwerksschmuck

Teile aus Keramik

Silikonkarbid Keramikfach mit CVD SiC Beschichtung Größe angepasst Hochtemperatur Sintern

SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung

SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe

wissenschaftliche Laborausrüstung

Ultraschnelle Laser-Regenbogenmarkierungsmaschine Metallinterferenzstreifen mit dynamischen Winkelverschiebungs-Regenbogeneffekten

Wafer Bonder Geräte Raumtemperatur Bindung Hydrophilen Bindung für 4 6 8 12 Zoll SiC-Si SiC-SiC

Infrarot-Pikosekunden-Glaslaslaserschneidegerät mit zwei Plattformen

Wafer Bonder Hydrophilen Bindung MEMS Geräte Leistungselektronik Wafer Bindungsmaschine

Vollautomatische Waferverdünnungsmaschine Si SiC GaN Ultraschleifwafer

Automatische Präzisionsschneidmaschine Vollautomatische Waferschneidung Präzisionsschneiden

Saphir-Kristall-Uhrgehäuse

Oblaten-Fördermaschinen-Kasten

Polypropylen-einzelner Oblaten-Verschiffen-Kasten 4" 101.6mm

Supraleitendes dünnes monokristallines Substrat

supraleitender dünner monokristalliner Substrat 10x10mmt Terbium-Gallium-Granat für Laser-Gerät

MgAl2O4 supraleitendes dünnes monokristallines Substrat 10x10x0.5mmt 1sp/2sp

Orientierungs-Zink des einzelner Kristall-supraleitendes dünnes monokristallines Substrat-10X10mm

Gallium-Nitrid-Oblate

Kundengebundene Gallium-Nitrid-Oblate der Größen-5x10mm M Axis Free Standing HVPE

Si-F.E. lackierte Undoped Gallium-Nitrid-Wafer 2 ZOLL Laser-Projektions-Anzeige

2 Gallium-Nitrid-Wafer des Zoll-DSP SSP Epitaxial- Schablonen eines Achsen-Saphir-Substrate GaN

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