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Saphirsubstrat
Polierquarz-Rohr medizin-Durchmessers 200mm JGS2 JGS1
Saphirwafer 2 Zoll C-Ebene ((0001) DSP SSP 99,999% Monokristalline Al2O3 LEDS Halbleiter
Saphirmaterial AL2O3 Monokristall 80KG 200KG 400KG KY Methode LED Halbleiter
Sapphire Wafer 12 Zoll AL2O3 Anpassung DSP SSP C-Ebene A-Ebene M-Ebene LED Sapphire Substrat
Saphir optisches Windows
Dia60*5mm-Saphir optisches Windows rund für Vakuumausrüstung Smartphone
Industrieller Saphir optisches Windows fertigte Plano-Rechteck 193x60x7mmt besonders an
Titan-Safir-Kristall-Optikfenster Hohe Härte Maß angepasst Ausgezeichnete Transparenz für optische Zwecke
Anpassungsfähige Optikkomponenten aus Saphir Ultra-Lang-Wellenlängenband
Silikon-Karbid-Oblate
SiC-Wafer 2/3/4/6/8 /12 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R
12 Zoll SiC Wafer 4H-N Dummy Forschung DSP SSP SiC Substrate Siliziumkarbid Wafer
8 Zoll 4H-N SiC Wafer Dicke 500±25μm oder angepasste N-Doped Dummy-Produktionsforschung
Hochwertige SiC-Wafer 2/3/4/6/8 Zoll 4H-N Typ Z/P/D/R
Sapphire Tube
Saphirröhre hochwertige Thermocouple-Schutzröhre Aluminiumoxid Saphirröhre poliert
Saphir-NMR-Röhren Durchmesser 5 mm/10 mm Länge 100 mm/Maßgeschneiderte Längen
Saphirröhre 99,999% AL2O3 Polierte Ionenquelle mit hoher Härte
Transparente Saphirröhre AL2O3 Hohe Härte KY EFG Poliert Lon Quelle Anpassung
Gallium-Nitrid-Oblate
2 Gallium-Nitrid-Wafer des Zoll-DSP SSP Epitaxial- Schablonen eines Achsen-Saphir-Substrate GaN
Halbleiter-Substrat
3 Zoll 4 Zoll LiTaO3 Wafer Substrat Doppel- oder Einfachpoliert Z-Schnitt X-Schnitt Y-Schnitt Säge
Ni Substrat Nickelwafer 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm <100> <110> <111> Ausrichtung
Ni Substrat Einkristallkubenstruktur < 100> < 110> < 111> a=3,25A Reinheit 99,99% Dichte 8.91
Magnesiumsubstrat Einkristall hexagonal 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm Reinheit 99,99%
Synthetischer Gem Stone
Korall / Rose Pink Saphir Roh / Roughgem Kristall Labor gemacht für Schmuck Accessoires
Künstliche Violet Lila Rohsafir Al2O3 Edelstein für Dekoration Ohrring Halskette
Hochleistungslaserdoppierte Saphirkristalle künstliche Saphirkristalle
Hochfrequenz-Laser mit Titandoppiertem Saphirkristall Single 4 Level Vibronic
wissenschaftliche Laborausrüstung
SiC-Boule-Wachstufenofen PVT HTCVD und LPE-Technologien für die Herstellung von SiC-Boule mit einem Kristall
SiC Ingot Schneidmaschine für 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 10 Zoll SiC Schneidgeschwindigkeit 0,3 mm/Min Durchschnitt
SiC Ingot Wachstumsöfen PVT HTCVD LPE Einzelkristall SiC Boule Wachstumsöfen für 6 Zoll 8 Zoll SiC Wafer Produkt
Silikonkarbid monokristalline Wachstumsöfen Widerstandsmethode 6 8 12 Zoll SiC Ingot Wachstumsöfen
Saphir-Kristall-Uhrgehäuse
Der Stärke-3.75mm Abnutzungs-Widerstand Saphir-Kristall-Uhrgehäuse-blauer hoher der Härte-9H
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