Saphirsubstrat

• Synthetische Rubinstäbe Cr:Al2O3 Erhältlich in 2 mm/4 mm Dia10 mm/20 mm Länge
• GS1-Synthetische Quarzplatte mit Quarzoptikfenster
• Durch Glasvias (TGV) für JGS1 JGS2 Saphir-Kornglas für Sensoren Herstellung und Verpackung
• Durch Glasvias (TGV) JGS1 JGS2 Saphir BF33 Quarz Anpassbarer Abmessungen Stärke kann bis zu 100 μm sein

Saphir optisches Windows

• Quarzglasfenster aus Quarzglas SiO2 UV-Infrarot-durchlässiger Laser
• Kundenspezifische unregelmäßig geformte Quarz-Optikfenster Präzisions-Quarzglas-Sichtfenster
• Quarzglasfenster mit UV-Fusionssilika-Optikanzeigeport
• Quarzglasfenster CNC-gefertigt, unregelmäßige Quarzglasscheiben für optische und Lasersysteme

Silikon-Karbid-Oblate

• Fest SiC-Vakuum-Riegel Ultraflache Trägerplatte für die Verarbeitung von dünnen Wafern
• SICOI Echtzeit-Kontrollsystem 99,9% Algorithmusgenauigkeit für Robotik und CNC-Maschinen
• Siliziumkarbid SiC Optiklinsen Infrarot und Laser Anwendungen
• SiC-Keramik-Träger aus Siliziumkarbid Halbleiter-Esserei und Photovoltaik-Wafer-Handling

Sapphire Tube

• Versiegeltes Saphirrohr Aluminiumoxid poliert, korrosionsbeständig
• Anti-Kratzer Saphirrohr EFG-Methode Oxid Poliert
• Saphirrohr-Doppelseitige Polierung EFG für Laser- und Optiksysteme
• High Purity Sapphire Lift Pin für Halbleiterwafer Handling

Gallium-Nitrid-Oblate

• 8 Zoll GaN-on-Si Epitaxy Wafer 110 111 110 N Typ P Typ Anpassung Halbleiter RF LED
• GaN Galliumnitrid Wafer Hohe Elektronenmobilität HF-Geräte Optoelektronik und LEDs
• 8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED
• Durchmessers 200mm AlGaN Si Art Epi-Wafer-N für Mikro-LED 6 Zoll

Halbleiter-Substrat

• SrLaAlO4 / LaSrAlO4 LSAO 10x10x0.5mmt5x5x1mmt Substrat für die Epitaxie
• Lithium-Tantalat LiTaO3 Kristallwafer Hochfrequenz-SAW-Filter hoher Piezoelektrischer Koeffizient
• Lithiumniobat LiNbO3 Kristall-Ingot mit hoher Frequenz
• InAs Substrat 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 5 Zoll 6 Zoll Un/S/Zn Typ N/P Poliert DSP/SSP

Synthetischer Gem Stone

• Hochfrequenzsaphir-einzelner Kristall-Titan lackierte rote Dichte 3,98 G/Cm3
• Cr3+, das Ruby Titanium Doped Sapphire For-Uhrglas optisches Winows lackiert
• Harte einzelner Kristall-Hochleistung des Laser-Saphir-Kristallblock-Al2o3
• Buntes einzelner Kristall-kundengebundenes Logo-Sicherheits-Paket Saphir-Lasers Al2o3

wissenschaftliche Laborausrüstung

• Glaslaserbohrmaschine Saphirverarbeitung Wellenlänge 532nm Hohe Präzision
• Keramikscheibenreinigung-Wäscherei Integrierte Maschine Automatisierte Halbleiterindustrie
• Ultraschnelle Laser-Regenbogenmarkierungsmaschine Metallinterferenzstreifen mit dynamischen Winkelverschiebungs-Regenbogeneffekten
• Wafer Bonder Geräte Raumtemperatur Bindung Hydrophilen Bindung für 4 6 8 12 Zoll SiC-Si SiC-SiC

Saphir-Kristall-Uhrgehäuse

• Rosa blauer Farbsaphir-Kristall-Uhrglas-Ersatz kundengebundene Größe
• 30-50mm transparente Saphir-Kristall-Uhrgehäuse-Platte für Armbanduhr-optisches Glas
• A - Achsen-Saphir-Kristall-Uhrgehäuse-Glaslinsen-raues Material Soem angenommen
• Künstlicher Anbau Dopingfarbe Saphir AL2O3 Uhrenkasten Durchsichtiger Blauer Rubin

Oblaten-Fördermaschinen-Kasten

• Polypropylen-multi Oblaten-Kasten-Silikon-Fördermaschinen-Behälter-Kasten-dunkle Farbe 4inch 6inch 8inch
• 12 Zoll 300 mm Polypropylen-Einzelwafer-Box, Silizium-Saphir-Wafer-Träger-Container-Box
• Oblaten-Fördermaschinen-Kasten 2inch 3inch 4inch pp. für quadratische Oblaten-Substrate
• Polypropylen 4" 104mm einzelner Oblaten-Versandverpackungs-Kasten

Supraleitendes dünnes monokristallines Substrat

• Tantal 10x10x0.5mmt LaSrAlTaO3, LETZTES Oblaten-Substrat Crystal Industrial
• Orientierungs-Zink des einzelner Kristall-supraleitendes dünnes monokristallines Substrat-10X10mm
• MgAl2O4 supraleitendes dünnes monokristallines Substrat 10x10x0.5mmt 1sp/2sp
• supraleitender dünner monokristalliner Substrat 10x10mmt Terbium-Gallium-Granat für Laser-Gerät

Teile aus Keramik

• Silikonkarbid Keramikfach mit CVD SiC Beschichtung Größe angepasst Hochtemperatur Sintern
• SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung
• SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe