Saphirsubstrat

• Seite 4inch 101.6mm Sapphire Wafer Substrate Carrier Single polierte einzelnen Crystal Al 2O3
• Grad M Plane 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A
• Hoher Reinheitsgrad Al2O3 99,999% Sapphire Substrate Wafer Carrier DSP SSP
• 6 Zoll 350um 0.5mmt Sapphire Carrier Substrate Wafer SSP DSP

Synthetischer Gem Stone

• Moissanite Rohstein Champagnerfarbe Siliziumkarbid Einkristall Mohs-Skala 9.25 für die Schmuckindustrie
• Champagnerfarbiger Moissanit hat eine Labor-Härte von 9,25 für Ringe und Accessoires.
• Moissanit Rohstein Edelstein Smaragdwald Grün Hohe Härte Einkristall Siliziumkarbid für Juden
• Smaragdgrün Moissanit SiC Einkristall Mohs-Härte 9,25 Moissanit Rohstoff für Schmuck

Saphir optisches Windows

• Kreisförmige transparente Sapphire Optical Windows Quartz Customized Sapphire Lens Wafer With Hole
• Kreisförmige transparente Sapphire Optical Windows Quartz Material fertigte Durchmesser besonders an
• Monokristalline Nut Al2O3 Sapphire Crylinder Rod Lens With
• Härte 9,0 Ruby Sapphire Optical Windows Customized Transparent-Ball-Linsen-Oblaten

Silikon-Karbid-Oblate

• 2 Zoll SiC Wafer 4H N Typ 6H-N Typ 4H Halbtyp 6H Halbtyp Doppelseitig poliert
• 4H N Typ Semi-Typ SiC Wafer 4 Zoll DSP Produktion Forschung Dummy Grade Anpassung
• 6H SiC Siliziumkarbid Wafer Doppelseite Poliert 2 Zoll <0001> N-Typ Halbtyp
• Silikonkarbid-Wafer individuell angepasste Größe Halbisolierende SiC-Wafer nahezu farblos Transparent Hochdruckbeständigkeit

Sapphire Tube

• Quarz-/Borosilicat-UVglasplatten-lochende Löcher 4,4 x 4,4 X 0.5mmt
• Monokristallines Al2O3 Sapphire Glass Tube Transparent Polished
• Saphir-Glasstab der polierten Oberfläche mit gerade Härte-hohem Reinheitsgrad des Flansch-9,0
• Monokristallines Al2O3 Sapphire Glass Tube Transparent Polished

Halbleiter-Substrat

• 2-Zoll-Silizium-Wafer P-Typ N-Typ CZ-Wachstumsmethode BOW ≤30
• SOI Wafer Silizium auf Isolator Wafer Dopant P BOX Schicht 0,4-3 Substrat Orientierung 100 111
• SOI Wafer Silizium auf Isolator 100mm 150mm P Typ Dopant B Gerät 220 Widerstand: 8,5-11,5 Ohm-cm
• Silizium auf Isolator SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-Typ / Bor-doped)

wissenschaftliche Laborausrüstung

• YAG-Fasern für optische Kommunikationsnetze Zugfestigkeit > 2200 MPa Durchmesser 25-500 μm Achse A, Achse C
• YAG-Optische Faser Yttrium-Aluminium-Garnett-Material Übertragbarkeit > 80% 400-3000 Nm Dia 25-500um
• Wärmeisolierte Flachlänge wissenschaftliche Laborausrüstung Isolierte feste Fokuslinse
• LCD-Display, thermisch isolierte feste Fokuslinse für Labortests